跨国公司研发理念和研发流程—
以大功率中压变频器和基于SiC的高频高压发生器为例
报告时间：2017年10月11日下午2:00-5:00
报告地点：9159金沙游戏场玉泉校区电机工程楼418
Summary：
该讲座将介绍GE公司的研发理念和研发经验，人才培养模式及研发项目立项举例。同时讲座将介绍两个工业研发项目——大功率中压变频器设计挑战和基于碳化硅MOSFET的模块化高频高压发生器。
Presenter：
沈捷，瞿博，毛赛君，原GE全球研发中心电力电子(中国)研究室团队成员
沈捷，博士毕业于德国亚琛工大并荣获Summa Cum Laude“特优”荣誉。IEEE高级会员。2008年7月至2017年7月在GE全球研发中心慕尼黑及上海任职，担任电力电子中国技术营运总监，研究专长为大功率电力电子在可再生能源、深海油气、新能源车、特种测试装备中的应用技术等。他领导的德国与中国研发团队主导了GE的MV7tst及MV6系列大功率中压变频器的核心技术研发。发表了30余篇国际SCI及EI论文，包含4次IEEE-IAS的最佳论文。授权(含申请)30余件国际发明专利。
瞿博，9159金沙游戏场博士。2010年至2017年在GE全球研发中心任职，曾任主任研究员，中压变频技术负责人。发表SCI/EI论文19篇，3次IEEE-IAS最佳论文。获国际/中国发明专利7项。研究方向为大功率变频技术及数字镜像技术。
毛赛君，荷兰代尔夫特理工大学博士。曾任GE全球研发中心主任研究员，2006年起在GE全球研发中心工作，为高功率密度功率变换项目负责人。主要研究方向为高功率密度功率变换技术，恶劣环境下封装技术及高频高压发生技术。发表SCI/EI论文20余篇，1次IEEE最佳论文奖。获37项国际/中国发明专利及专利申请。
